學名：Gazania rigens、Gazania splendens
英名：Treasure flower
科名：菊科(Asteraceae)勳章菊屬(Gazania)
別名：非洲光陽菊
原產地：南非
品種、品系：陽光、迷你之星、New Face、New Day、Kiss、Talent

開花特性：
勳章菊為相對性長日照植物，長日促進開花。光照可增加花芽數量。

種子特性：
每公克約450粒種子。

發芽特性：
勳章菊種子具嫌光性，播種後可蓋上一層蛭石，發芽適溫為21-22℃，約3-4天胚根長出。有些品種約7-14天發芽。發芽期間維持相對濕度95%RH至子葉萌發，避免介質過度潮濕以免苗猝倒。胚根長出後降低濕度至40%RH。發芽期間不需照光，發芽後維持光照強度10,000-25,000Lux，育苗階段可提高光度至30,000Lux。

穴盤育苗：
子葉生長適溫18-22℃，本葉生長適溫18-21℃，穴盤育苗期適溫為18-20℃。育苗初期可施50-75ppm氮肥，後期可增加至100-150ppm。一般不需噴施矮化劑。可用406格穴盤進行育苗，約需4週即能移植，若較大的穴格，如200或288格穴盤育苗則需4-5週才能移植。介質建議使用排水佳、乾淨之無土介質，pH值以5.8-6.2為宜，EC值不要超過0.75。低光度情況下需補光至14-16小時光照，有助生產健康幼苗。

定植管理：
定植後栽培適溫為夜溫13-15℃/日溫18-20℃。濕度40-70%，每週施用150-200ppm氮肥。可噴施矮化劑。全日照栽培。15cm盆可種3株。

病蟲害及生理障礙：
常見害蟲為蚜蟲、螨類、薊馬及粉蝨。另須注意育苗期猝倒問題。